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消除柵極側(cè)壁再沉積的方法和半導(dǎo)體器件的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6997802

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,更具體地說(shuō),本發(fā)明涉及一種消除柵極側(cè)壁再沉積的方法,以及一種采用所述消除柵極側(cè)壁再沉積的方法而得到的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造工藝過(guò)程中,為了形成期望的柵極結(jié)構(gòu),不可避免地需要用到刻蝕工藝。然而,在利用例如干法刻蝕工藝來(lái)刻蝕柵極的過(guò)程中,尤其是在制造比較復(fù)雜的柵極結(jié)構(gòu)的刻蝕過(guò)程中,現(xiàn)有技術(shù)存在一些問(wèn)題。具體地說(shuō),一般的,在采用了材料鎢(W) 的MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極的蝕刻工藝過(guò)程中,由于基于鎢...
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