技術(shù)編號：6997700
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體器件的制造方法，特別是涉及ー種改進MOSFETS鎳基硅化物熱穩(wěn)定性的方法。背景技術(shù)IC集成度不斷増大需要器件尺寸持續(xù)按比例縮小，然而電器工作電壓有時維持不變，使得實際MOS器件內(nèi)電場強度不斷増大。高電場帶來一系列可靠性問題，使得器件性能退化。例如，MOSFET源漏區(qū)之間的寄生串聯(lián)電阻會使得等效工作電壓下降。由于鎳基硅化物通常具有較低的電阻(例如10. 5 15 μ Ω/cm)、較低的硅消耗(鎳與襯底硅反應(yīng)形成鎳基硅化物時消耗襯底硅較少)...
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