技術(shù)編號：6997498
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。—種改進(jìn)的具有電流阻擋層的LED芯片及其制備方法本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，涉及LED芯片結(jié)構(gòu)及其制備方法，特指ー種改進(jìn)的具有電流阻擋層的LED芯片及其制備方法。背景技木目前，發(fā)光二極管(LED)芯片結(jié)構(gòu)有正裝結(jié)構(gòu)，垂直結(jié)構(gòu)和倒裝焊結(jié)構(gòu)，其中正裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片如圖I所示，主要包括襯底I、形成在襯底上的緩沖層2 (bufferlayer)、形成在緩沖層上的N型半導(dǎo)體層3、形成在N型半導(dǎo)體層上的發(fā)光層4、形成在發(fā)光層上的P型半導(dǎo)體層5，形成P型半導(dǎo)體層5上的透明導(dǎo)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。