技術編號：6997436
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體器件的有效技術，特別涉及一種適用于具有浮置柵電極的非易失性存儲單元呈陣列狀排列的半導體器件的有效技術。背景技術非易失性存儲器是通過將多個存儲單元呈陣列狀排列在半導體襯底主面上而形成。各個存儲單元具有可累積電荷的導電性浮置柵電極和捕捉性絕緣膜，以將在浮置柵電極、捕捉性絕緣膜中的電荷累積狀態(tài)作為存儲信息，并將所述存儲信息作為晶體管的閾值讀出。對于使用了浮置柵電極的半導體器件，例如在日本公開專利公報特開平4-21M71 號公報(專利文獻1)、...
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