技術(shù)編號：6996411
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，涉及一種具有P埋層(BPL)的SOI (絕緣層上半導(dǎo)體) nLDMOS (η溝道橫向雙擴(kuò)散金屬_氧化物_半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)器件單元的結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)SOI nLDMOS器件由于其較高的集成度、較高的工作頻率和溫度、較強(qiáng)的抗輻照能力、極小的寄生效應(yīng)、較低的成本以及較高的可靠性，作為無觸點(diǎn)高頻功率電子開關(guān)或功率放大器、驅(qū)動器在智能電力電子、高溫環(huán)境電力電子、空間電力電子、交通工具電力電子和射頻通信等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。常規(guī)SOI nLDMOS是...
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