技術(shù)編號：6996173
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。示例實施例涉及功率裝置，更具體地講，涉及一種高電子遷移率晶體管(HEMT)及其制造方法。背景技術(shù)高電子遷移率晶體管(HEMT)包括具有不同帶隙的半導(dǎo)體。在HEMT中，具有不同帶隙的半導(dǎo)體結(jié)合在一起。在HEMT中，具有相對寬的帶隙的半導(dǎo)體用作施主(donor)。這樣的具有相對寬的帶隙的半導(dǎo)體在具有相對窄的帶隙的半導(dǎo)體中形成二維電子氣0DEG)。 在HEMT中，所述2DEG可用作溝道。結(jié)果，在HEMT中溝道與施主空間上分開，這樣電子載流子可以具有高遷移率。HE...
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