技術(shù)編號：6996140
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域，更具體地，涉及一種，其中可以在避免對柵堆疊中其他部分造成損傷的同時有效地去除犧牲柵。背景技術(shù)隨著高K/金屬柵工程在45nm技術(shù)節(jié)點上的成功應(yīng)用，使其成為亞30nm以下技術(shù)節(jié)點不可缺少的關(guān)鍵模塊化工程。目前只有堅持高K/后金屬柵(gate last)路線的英特爾公司在45nm和32nm量產(chǎn)上取得了成功。近年來，緊隨IBM產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的三星、臺積電、英飛凌等業(yè)界巨頭也將開發(fā)重點由高K/先金屬柵(gate first)轉(zhuǎn)向高K/后金屬柵工程...
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