技術(shù)編號：6995661
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及形成深寬比較大的孔洞等的。 背景技術(shù)在使用等離子體蝕刻處理由半導(dǎo)體晶片制造的半導(dǎo)體設(shè)備中，要求形成與開口部的直徑相比徑深較大的圖案，例如，形成深寬比較大的孔洞。為了形成深寬比較大的孔洞，需要較多使用等離子體中的陽離子對對象膜的濺射，該情況下，如圖12所示，在對象膜120形成的孔洞121的底部滯留有陽離子122，由于該滯留的陽離子122對之后的陽離子123到達(dá)孔洞121的底部造成電阻礙，在孔洞121中可能會改變之后的陽離子123的路線。其結(jié)果，會產(chǎn)...
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