技術(shù)編號：6995653
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種利用選擇腐蝕工藝制備半導(dǎo)體材料的方法，尤其涉及，更確切的說是一種鍵合加選擇性腐蝕制備頂層硅主參考面同支撐襯底主參考面有一定角度的Si片的工藝，屬于微電子與固體電子學(xué)。背景技術(shù)晶向旋轉(zhuǎn)鍵合(twist-bonded wafer)是指同樣型號的兩片娃片進行Si-Si鍵合，但是其鍵合的主參考面并不完全對齊，而是形成一定的角度。這由于晶向旋轉(zhuǎn)，兩個硅片間會有失配位錯網(wǎng)絡(luò)存在，如果這種主參考面旋轉(zhuǎn)的頂層硅厚度只有幾十納米，位錯網(wǎng)絡(luò)可以從頂層硅表面明顯觀...
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