技術編號：6995448
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種。背景技術應變記憶技術(Stress Memorization Technique,簡稱SMT)以及應力刻蝕阻擋層技術(Stressd-CESL, contact etch stop layer)是現有的提高晶體管載流子遷移率的兩種技術。通過上述兩種技術，在晶體管的溝道區(qū)形成穩(wěn)定應力，提高溝道中的載流子遷移率。所述應力平行于溝道長度方向，可以為延伸應力或壓縮應力。通常拉伸應力可以使得溝道區(qū)域中的原子排列更加疏松，從而提...
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