技術(shù)編號：6995374
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及碳化硅(SiC)襯底的制造方法。 背景技術(shù)通常，SiC襯底可用于高壓器件。然而，SiC襯底中的晶體缺陷會影響器件性質(zhì)。 尤其，晶體缺陷中的螺型位錯(screw dislocation)會引起大的變形。因此，用其表面部分包括螺旋變形的SiC襯底制造諸如PN 二極管和MOSFET的器件時，螺旋變形會引起漏電流， 如例如 Takashi Tsuji 在 Proceedings of the 4th Individual Discussion of th...
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