技術(shù)編號:6994160
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種高壓功率二極管結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)二極管是功率電子系統(tǒng)中不可或缺的器件,用于整流、續(xù)流等,廣泛地采用BiCMOS工藝集成。一般的二極管,如圖I所示的結(jié)構(gòu),由于寄生三極管器件的存在,在正向工作時有很大的襯底漏電。實測數(shù)據(jù)顯示(見圖2),從二極管的陽極灌入電流(圖2的X軸),可以看到襯底電流(圖2中的Isub曲線)非常大,和二極管的陰極電流(圖2中的I_Diode_N曲線)都是可比的?,F(xiàn)有基于NPN架構(gòu)的功率二極管,如圖3所示結(jié)構(gòu),發(fā)射結(jié)的反向耐壓一般...
注意:該技術(shù)已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。