技術編號：6993424
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種高摻雜磷硅玻璃介質(zhì)膜的制備方法。 背景技術介質(zhì)膜在半導體制程中有著廣泛的應用，常用的介電材料主要有非摻雜的硅玻璃 (即純二氧化硅)、磷硅玻璃和硼磷硅玻璃。磷硅玻璃(Phosphosilicate Glass, PSG)是摻雜了磷的二氧化硅，與純二氧化硅相比，磷硅玻璃薄膜的應力小，而且摻雜的磷還可以有效固定雜質(zhì)離子，因此在IC中常被用于金屬層與其下面的多晶硅之間的絕緣層(PMD)介質(zhì)膜。磷硅玻璃薄膜的制備方法有多種，其中...
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