技術(shù)編號：6993320
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及。背景技術(shù)氧化鋅(S1O)是一種重要的直接寬禁帶半導(dǎo)體材料，室溫下其禁帶寬度為 3. 37ev。由于其原料豐富、成本低廉，無毒無污染，具有較高的室溫激子束縛能(約60meV)， 被認(rèn)為是有可能取代氮化鎵(GaN)的新一代短波長發(fā)光材料。在半導(dǎo)體照明、平面顯示和 紫外光探測等領(lǐng)域有著誘人的應(yīng)用前景。由于ZnO薄膜具有較高的折射率和較強(qiáng)的光增益，是制備紫外隨機(jī)激光的理想材 料。1998年H. Cao等人首先報(bào)道了 ZnO薄膜的光抽運(yùn)隨...
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