技術(shù)編號：6993194
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的工藝方法，特別地涉及一種提高打開多晶柵頂化學機械平坦化工藝均勻性的方法。背景技術(shù)高K/金屬柵工程在45納米技術(shù)節(jié)點上的成功應(yīng)用，使其成為30納米以下技術(shù)節(jié)點不可缺少的關(guān)鍵模塊化工程。目前，只有堅持高K/后金屬柵(gate last)路線的英特爾公司在45納米和32納米技術(shù)節(jié)點的量產(chǎn)上取得了成功。近年來，緊隨IBM產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的三星、臺積電、英飛凌等業(yè)界巨頭也將之前研發(fā)重點由高K/先金屬柵(gate first)轉(zhuǎn)向gate Ias...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。