技術(shù)編號(hào):6993064
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種薄膜的襯底轉(zhuǎn)移方法,尤其涉及,屬于半導(dǎo)體薄膜領(lǐng)域。背景技術(shù)2004年,英國(guó)曼徹斯特大學(xué)Geim教授首次制備出石墨烯(Graphene)。石墨烯是由單層碳原子組成的六方蜂巢狀二維結(jié)構(gòu)。石墨烯薄膜室溫下本征電子遷移率可達(dá)200000cm2/Vs,且具有優(yōu)異的力學(xué)、熱學(xué)性質(zhì)。石墨烯的優(yōu)異的性能,使其在太赫茲電子器件等領(lǐng)域具有巨大、潛在的應(yīng)用性能,使得石墨烯薄膜具有重大意義,甚至有預(yù)言石墨烯薄膜將最終取代硅。然而要實(shí)現(xiàn)這些潛在應(yīng)用的前提條件是能夠制備...
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