技術(shù)編號：6993028
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于微電子，涉及半導(dǎo)體器件。具體地說是一種高電子遷移率晶 體管HEMT，可用作高溫高頻高可靠大功率器件。背景技術(shù)作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的典型代表，GaN基材料具有禁帶寬度大、電子飽和漂移速 度高、擊穿場強(qiáng)高和導(dǎo)熱性能好等特點(diǎn)，可用于制作高溫、高頻及大功率電子器件。更重要 的是，GaN基材料可以形成調(diào)制摻雜的MGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)在室溫下可以獲得很高 的電子遷移率，極高的峰值電子速度和飽和電子速度，并獲得比第二代化合物半導(dǎo)體異質(zhì) 結(jié)構(gòu)更高的二維...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。