技術(shù)編號：6993005
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路制造，具體涉及一種改善SiC器件性能的方 法，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件制造工藝中的對SiC襯底表面進行鈍化處理的方法。背景技術(shù)SiC是寬禁帶半導(dǎo)體(對于4H_SiC禁帶寬度Eg=3. 2kV)，與Si相比，它在應(yīng)用中 具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600°C，而Si器件的最高 工作溫度局限在175°C，SiC器件的高溫工作能力降低了對系統(tǒng)熱預(yù)算的要求。此外，SiC 器件還具有高擊穿電場強度(約2-3MV/...
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