技術編號：6992775
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種激光剝離方法及激光剝離裝置，在由化合物半導體形成的半導體發(fā)光元件的制造工序中，通過對在基板上形成的材料層照射激光，將該材料層分解并從該基板剝離(以下，稱作激光剝離)。特別涉及這樣一種激光剝離方法及激光剝離裝置，其中，將小的照射面積的脈沖激光隔著基板進行照射，不斷改變脈沖激光對工件的照射區(qū)域，在基板與結晶層的界面將結晶層從基板剝離。背景技術在由GaN (氮化鎵)類化合物半導體形成的半導體發(fā)光元件的制造工序中，公知有 通過從藍寶石基板的背面照射...
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