技術(shù)編號：6992194
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本文所公開的發(fā)明涉及包括半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件、以及用于制造半導(dǎo)體器件的方法。背景技術(shù)包括半導(dǎo)體元件的存儲設(shè)備被寬泛地分成兩類當停止供電時丟失存儲數(shù)據(jù)的易失性存儲器件、以及即使在不供電時也保留存儲數(shù)據(jù)的非易失性存儲器件。易失性存儲設(shè)備的典型示例是DRAM (動態(tài)隨機存取存儲器)。DRAM以選擇存儲元件中所包括的晶體管且將電荷存儲在電容器中的方式存儲數(shù)據(jù)。 由于上述原理，當DRAM中的數(shù)據(jù)被讀取時電容器中的電荷丟失；因此，每次數(shù)據(jù)被讀取時有必要執(zhí)行寫入操作。...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。