技術(shù)編號(hào):6991366
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及供工件的離子注入使用的等離子攙雜系統(tǒng),更具體地說(shuō),涉及在等離子攙雜系統(tǒng)中用來(lái)控制注入工件的離子的劑量均勻性的方法和裝置。本發(fā)明的現(xiàn)有技術(shù)離子注入是用來(lái)將改變導(dǎo)電率的雜質(zhì)引入半導(dǎo)體晶片的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。在傳統(tǒng)的射束線離子注入系統(tǒng)中,所需的雜質(zhì)材料在離子來(lái)源中電離,離子被加速以形成規(guī)定能量的離子束,而且離子束指向晶片表面。離子束中的高能離子刺入半導(dǎo)體材料的本體并且嵌進(jìn)半導(dǎo)體材料的晶格,形成導(dǎo)電率符合要求的區(qū)域。在半導(dǎo)體工業(yè)中眾所周知的趨勢(shì)趨向于較小的速度較...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。