技術(shù)編號：6991172
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體涉及半導(dǎo)體器件制造的領(lǐng)域，并具體涉及通過不對稱外延生長制造場效晶體管的方法。背景技術(shù)由于各種集成電路器件的尺寸不斷縮小，諸如場效晶體管(FET)的晶體管隨之 經(jīng)歷了性能及功耗兩方面的顯著改善。這些改善很大程度上可歸因于其中使用的器件的尺寸的減小，這些器件尺寸的減小通常轉(zhuǎn)化為晶體管的增加的通過電流(through-putcurrent)，減小的電容、電阻。然而，由此類型的“典型”縮減(在器件尺寸方面)帶來的性能改善進來遇到障礙，且在一些情況下當(dāng)該縮...
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