技術編號：6991071
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明關于半導體工藝，詳言的，是關于在半導體組件制造期間執(zhí)行溝槽隔離的方法。背景技術 淺槽隔離(STI)技術是使用淺的、再充填的溝槽來隔離組件，該組件是相同型態(tài)于硅局部氧化隔離(LOCOS isolation)，以取代硅局部氧化隔離。工藝開始是藉由沉積一層焊墊氧化物于硅基板上并圖案化氮化物光罩而定義于硅基板上的作用區(qū)(active area)。然后蝕刻各淺槽于作用區(qū)之間氮化硅光罩上的各開口而進入硅基板。于生長有薄層氧化物的凹部執(zhí)行襯底氧化工藝(liner ...
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