技術編號：6990738
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及ー種碳化硅襯底，更具體地涉及ー種實現(xiàn)抑制在制造半導體器件的エ藝中發(fā)生的翹曲的碳化硅襯底。背景技術近年來，為了實現(xiàn)高擊穿電 壓、低損耗以及半導體器件在高溫環(huán)境下的利用，已經開始采用碳化硅(SiC)作為用于半導體器件的材料。碳化硅是寬帶隙半導體，其帶隙大于傳統(tǒng)上廣泛用作用于半導體器件的材料的硅的帶隙。因此，通過采用碳化硅作為用于半導體器件的材料，半導體器件能夠具有高擊穿電壓、減小的導通電阻等等。此外，因此有利的是，采用碳化硅作為其材料的半導體器件的特...
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