技術(shù)編號(hào)：6990455
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本說明書所記載的技術(shù)涉及一種半導(dǎo)體裝置，其具有相對(duì)于氮化物半導(dǎo)體層被歐姆接觸的電極。背景技術(shù)如日本特許公開公報(bào)2008-235405號(hào)(以下，稱為專利文獻(xiàn)I)所公開的內(nèi)容所示，相對(duì)于GaN層歐姆接觸的電極的材料，通常使用Ti。通常，在形成該電極時(shí)，在GaN層上形成Ti層，之后對(duì)半導(dǎo)體基板實(shí)施熱處理。當(dāng)半導(dǎo)體基板被實(shí)施熱處理時(shí)，在Ti層和GaN層的邊界部上將形成TIN層。TiN層相對(duì)于GaN層而表現(xiàn)出良好的歐姆特性。由此，Ti層成為相對(duì)于GaN層的歐姆電扱。...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。