技術(shù)編號(hào):6990448
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及離子植入(ion implantation),尤其涉及用以改良環(huán)狀或袋狀植入的若干溫度下的植入。背景技術(shù)離子植入器(ion implanter)包含離子源(ion source),用于將氣體或固體材料轉(zhuǎn)換為良好界定的離子束(ion beam)。所述離子束通常經(jīng)質(zhì)量分析以消除非所要的離子物種(ion species),被加速至所要能量,且被植入至目標(biāo)(target)中。所述離子束可藉由靜電或磁性束掃描(electrostatic or magnet...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。