技術(shù)編號：6990297
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明的實施方案涉及硅半導(dǎo)體裝置，以及用于太陽能電池裝置的包含玻璃料的導(dǎo)電厚膜組合物。背景技術(shù)具有ρ型基板的常規(guī)太陽能電池結(jié)構(gòu)具有可位于電池正面(也稱為光照面和受光面)的負極和可位于相對面的正極。在半導(dǎo)體的p-n結(jié)上入射的合適波長的輻射充當在該半導(dǎo)體中產(chǎn)生空穴-電子對的外部能源。由于p-n結(jié)處存在電勢差，因此空穴和電子以相反的方向橫跨該結(jié)移動，從而產(chǎn)生能夠向外部電路輸送電力的電流流動。大部分太陽能電池為已被金屬化的硅片形式，即具有導(dǎo)電的金屬觸點。需要具有改...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。