技術(shù)編號：6990289
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明提供用于在背側(cè)制作和封裝處理時(shí)保護(hù)脆弱的前側(cè)電路以免損壞的有機(jī)、 旋涂、耐劃涂層。現(xiàn)有技術(shù)描述深度反應(yīng)性離子蝕刻(de印reactive ion etching, DRIE)制作用于許多微電機(jī)械制作過程中。例如，對要求高結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的撓性微電機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)的需求以及對集成電路(IC)エ業(yè)提高密度和性能的期待都促使需要在MEMS和半導(dǎo)體裝置應(yīng)用中將DRIE用于形成硅的深各向異性蝕刻。但是，在處理過程中，晶片前側(cè)上已經(jīng)構(gòu)建的脆弱、蝕刻敏感性電路容易發(fā)生...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。