技術(shù)編號(hào)：6990246
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，更詳細(xì)地，涉及一種能夠提高電極與半導(dǎo)體層之間的電流的擴(kuò)散以及空穴的注入的半導(dǎo)體發(fā)光器件。背景技術(shù)半導(dǎo)體發(fā)光器件利用于IXD背光、照明、顯示器等各種領(lǐng)域，且作為“LED”廣為人知。當(dāng)給p-n接合半導(dǎo)體施加順向偏置電壓時(shí)，發(fā)射出與傳導(dǎo)帶和價(jià)電子帶的能隙相當(dāng)?shù)牟◣У墓?，半?dǎo)體發(fā)光器件利用這種現(xiàn)象進(jìn)行發(fā)光。這種半導(dǎo)體發(fā)光器件對(duì)量子效率、光子提取效率、封裝、可靠性等各項(xiàng)設(shè)計(jì)指標(biāo)的要求高。在這些指標(biāo)中，尤其電極與半導(dǎo)體層之間的電流的擴(kuò)散和...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。