技術(shù)編號(hào)：6989886
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)組合物及方法。更具體地說，本發(fā)明涉及用于拋光半導(dǎo)體基材同時(shí)抑制多晶硅從該基材移除的方法。背景技術(shù)用于對基材表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光的組合物及方法是本領(lǐng)域公知的。用于半導(dǎo)體基材(例如集成電路)的表面的CMP的拋光組合物(也稱為拋光漿料、CMP漿料及CMP組合物)典型地包含研磨劑、各種添加劑化合物等。通常，CMP涉及表面的同時(shí)發(fā)生的化學(xué)研磨和機(jī)械研磨，例如，上覆第一層的研磨以暴露該第一層形成于其上的不在同一平面上(non-plana...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。