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用于錫酸鎘透明導電氧化物的氮化硅擴散阻擋層的制作方法技術資料下載

技術編號:6989455

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本發(fā)明涉及光伏器件及制造方法。背景技術光伏器件可包括沉積在基底上的半導體材料,例如,具有用作窗口層的第一層和用作吸收層的第二層。半導體窗口層可允許太陽輻射穿過而到達諸如碲化鎘層的吸收層,吸收層將太陽能轉(zhuǎn)換成電。光伏器件還可包含一個或多個透明導電氧化物層,所述透明導 電氧化物層常常也是電荷的導體。附圖說明圖I是具有多個層的光伏器件的示意圖。圖2是具有多個層的光伏器件的示意圖。圖3是具有多個層的光伏器件的示意圖。圖4是具有多個層的光伏器件的示意圖。具體實施例方...
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