技術(shù)編號：6989440
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。磁性疊層設(shè)計背景技術(shù)普及性計算和手持/通信產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展已引起對大容量非易失性固態(tài)數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的爆炸式需求。類似閃存的當(dāng)前技術(shù)具有若干缺點(diǎn)，例如低存取速度、有限的壽命、和集成難度。閃存(NAND或N0R)還面對縮放問題。同樣，傳統(tǒng)的旋轉(zhuǎn)存儲器(例如，盤驅(qū)動器)面對著面密度以及使類似讀取/記錄頭的組件更小和更可靠的挑戰(zhàn)。阻性感測存儲器(RSM)通過將數(shù)據(jù)位存儲為高阻態(tài)或低阻態(tài)，成為未來非易失性和通用存儲器的有前途候選。一種這樣的存儲器是MRAM，它的特征在于...
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