技術(shù)編號：6988342
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。方法本發(fā)明大體上涉及磁性隧道結(jié)(MTJ)裝置及制造。 背景技術(shù)MTJ元件可用以生產(chǎn)磁性隨機存取存儲器(MRAM)。MTJ元件通常包括釘扎層、磁性隧道勢壘及自由層，其中位值由自由層中的磁矩表示。MTJ元件所存儲的位值由相對于釘扎層所承載的固定磁矩方向的自由層的磁矩方向來確定。釘扎層的磁化為固定的，而自由層的磁化可被切換。可將含有MTJ元件的MRAM區(qū)域及含有邏輯及控制元件的邏輯區(qū)域制造于同一晶片上。用以形成MTJ元件的結(jié)構(gòu)及工藝序列一般不同于用以形成邏輯及控...
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