技術(shù)編號(hào):6988327
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法以及太陽(yáng)能電池,特別是涉及具有硅層和含有硅化鋇的層的半導(dǎo)體裝置及其制造方法以及太陽(yáng)能電池。背景技術(shù)以往已經(jīng)開(kāi)發(fā)出使用了含有Ba(鋇)以及Si (硅)的BaSi層的太陽(yáng)能電池(專利文獻(xiàn)1及2)。BaSi的帶隙比Si的帶隙大,通過(guò)在BaSi層中添加Sr (鍶),能夠使帶隙成為適合于太陽(yáng)能電池的1.4eV。由此,能夠進(jìn)一步提高能量轉(zhuǎn)換效率。另外,為了低成本化和薄膜化,優(yōu)選在玻璃基板等絕緣基板上形成BaSi層。作為在玻璃基板上形成B...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。