技術(shù)編號(hào):6988316
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件。 背景技術(shù)專(zhuān)利文獻(xiàn)1中,記載有一種紫外線發(fā)光元件。紫外線發(fā)光元件在波長(zhǎng)360nm以下的紫外線區(qū)域的短波長(zhǎng)區(qū)域內(nèi)于室溫進(jìn)行高效率發(fā)光。該紫外線發(fā)光元件具有于SiC襯底上含有形成交替結(jié)的Ina37Ala Jiia61N層及Inai6Alatl6Giia78N層的量子阱結(jié)構(gòu)。該量子阱結(jié)構(gòu)直接形成于Ala 40Ga0.6(1N層上。現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本專(zhuān)利特開(kāi)2001-237455號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容專(zhuān)利文獻(xiàn)1中,In...
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