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不連續(xù)薄半導(dǎo)體晶片表面特征的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6988248

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本發(fā)明大體上涉及集成電路(IC)。更具體來(lái)說(shuō),本發(fā)明涉及制造集成電路。 背景技術(shù)半導(dǎo)體裸片包括晶體管與在襯底的作用層和膜層中的其它組件的集合。通常,這些襯底為半導(dǎo)體材料,且具體來(lái)說(shuō)為硅。另外,這些襯底常規(guī)上厚于為獲得所要裝置性能所必需的厚度。所述半導(dǎo)體裸片是從半導(dǎo)體晶片被單一化或分割。常規(guī)上,所述層沉積于半導(dǎo)體晶片上,所述半導(dǎo)體晶片經(jīng)單一化或經(jīng)分割以形成若干多半導(dǎo)體裸片。厚襯底在超出晶體管性能范圍的半導(dǎo)體制造期間具有優(yōu)點(diǎn)。在晶片和/或裸片的制造期間,襯底經(jīng)...
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