技術編號：6988234
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明的實施例大體上關于用在清潔噴頭的方法與裝置，諸如用于金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)及/或氫化物氣相磊晶法(HVPE)者。先前技術化學氣相沉積(CVD)技術一般用在制造半導體元件上。氣體分配噴頭一般用于將前驅物傳遞至腔室中基材上方的處理區(qū)，以將諸如薄膜之類的材料沉積至基材上。氣體分配噴頭以及腔室中其他鄰近處理區(qū)的硬體部件(諸如腔室主體)大體上是由低發(fā)射率的材料制造，諸如鋁。鋁表面一般會經(jīng)陽極氧化處理以抗氧化及/或腐蝕。然而，鋁部件可能不適合用于高溫...
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