技術(shù)編號(hào)：6988214
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造用于太陽(yáng)能電池中的多晶硅(polycrystalline silicon, poly-Si)薄膜的方法，更具體說(shuō)來(lái)，涉及根據(jù)金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(metal-induced crystallization, MIC)工藝，使用非晶形硅(amorphous silicon, a_Si)薄膜有效。背景技術(shù)一般說(shuō)來(lái)，在制造多晶硅(poly-Si)期間出現(xiàn)的大部分問(wèn)題都是由于使用易受高溫影響的玻璃襯底導(dǎo)致工藝溫度無(wú)法充分升高到使非晶形硅(a-Si)薄膜結(jié)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。