技術(shù)編號(hào)：6988208
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明的實(shí)施例大致關(guān)于在腔室中處理基板(例如，藉由金屬-有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)處理與/或氫化物氣相外延(HVPE)沉積處理，形成III-V族材料)后，自基板處理腔室的一或多個(gè)內(nèi)表面移除不想要的沉積累增物的方法與設(shè)備。背景技術(shù)發(fā)現(xiàn)III-V族薄膜在諸如短波發(fā)光二極管(LED)、激光二極管(LD)、與電子元件 (包括高功率、高頻率與高溫晶體管與集成電路)的多種半導(dǎo)體器件發(fā)展與制造中越來越重要。舉例而言，利用III族-氮化物半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)制造...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。