技術(shù)編號：6987951
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體元件。特別涉及使用于高耐壓、大電流場合的碳化硅半導(dǎo)體元件(功率半導(dǎo)體器件)。另外，本發(fā)明涉及具備碳化硅半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置及電力變換器。背景技術(shù)碳化硅(silicon carbide SiC)是與硅(Si)相比帶隙大的高硬度的半導(dǎo)體材料， 被應(yīng)用于功率器件、耐環(huán)境元件、高溫動作元件、高頻元件等各種半導(dǎo)體裝置。其中，在半導(dǎo)體元件或整流元件等功率器件中的應(yīng)用備受關(guān)注。使用了 SiC的功率器件與Si功率器件相比，其優(yōu)點在于能夠大幅度降低功率損耗...
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