技術(shù)編號：6987814
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種退火晶片，其自晶片表面至一定深度為止形成有一種無缺陷區(qū)域 (Denuted Zone,以下稱為DZ層)，所述DZ層沒有存在原生氧析出物、原生缺陷及反應(yīng)性離子蝕刻缺陷(RIE缺陷，即可由RIE法檢測的缺陷)。本發(fā)明尤其涉及一種退火晶片、該退火晶片的制造方法及使用此退火晶片來進(jìn)行的器件的制造方法，所述退火晶片的氧化膜耐電壓特性優(yōu)異，于器件步驟中，可防止形成在使用干式蝕刻裝置進(jìn)行溝加工步驟中所產(chǎn)生的小丘，并且于晶片表層，由表面的向外擴(kuò)散所引起的氧濃...
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