技術(shù)編號：6987280
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及調(diào)節(jié)應變材料籽晶層的晶格參數(shù)的方法。具體地，該方法使半導體材料能夠針對電子、光電子或光伏應用而外延生長。背景技術(shù)當基板不可用或者在自支承的塊狀形式下非常昂貴時，基板可以通過在籽晶基板上外延生長而被獲得為較薄的層。然而，這些籽晶基板的特性并不總是與期望生長的材料完美一致。例如，這些籽晶基板可以具有與期望生長的材料不同的熱膨脹系數(shù)和晶格參數(shù)。 這可能導致外延生長層(下面，稱作外延層)的壓縮應變或拉伸應變。要不就是在結(jié)構(gòu)的生長期間或者在其被冷卻時可以發(fā)...
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