技術編號：6987161
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。相關申請的交叉引證本發(fā)明要求2001年10月31日申請的美國臨時申請序列號60/330788的優(yōu)先權，它的全部內(nèi)容在此通過參考引入。背景技術發(fā)明領域本發(fā)明涉及蝕刻化學，和更特別地，涉及利用改進的蝕刻化學，蝕刻高長徑比零件(feature)的方法。 背景技術 的討論 在半導體工業(yè)中，一般需要增加增加集成電路，和尤其記憶器件的速度。這些需要迫使半導體制造者在半導體晶片表面上制造越來越小的器件。因此，制造半導體芯片所使用的愈加小的最高臨界尺寸(CDs)要求深的...
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