技術(shù)編號：6986868
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子。更具體而言，本發(fā)明涉及一種形成鰭式FET(finFET)器件的方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(FET)的尺寸在過去約三十年已經(jīng)穩(wěn)定地縮減，這是因?yàn)槌杀壤抵粮〕叽鐚?dǎo)致持續(xù)的器件性能改善。平面FET器件通常具有定位于半導(dǎo)體溝道上方并且通過柵極氧化物薄層來與溝道電隔離的導(dǎo)電的柵極電極。通過向?qū)щ姈艠O施加電壓來對經(jīng)過溝道的電流進(jìn)行控制。對于給定的器件長度而言，用于FET的電流驅(qū)動的數(shù)量由器件寬度(w)限定。電流驅(qū)動與器件寬度成比例地縮放，其...
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