技術(shù)編號(hào):6986738
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及圖像感測(cè)裝置和照相機(jī)。 背景技術(shù)如在日本專(zhuān)利公開(kāi)No. 2006-120679中公開(kāi)的那樣,當(dāng)包含于MOS圖像傳感器的各像素中的放大器晶體管的柵極被形成為具有埋入溝道結(jié)構(gòu)時(shí),Ι/f噪聲減少。如在日本專(zhuān)利公開(kāi)No. 2006-120679的段落“0034”中公開(kāi)的那樣,作為形成埋入溝道結(jié)構(gòu)的方法,當(dāng)放大器晶體管是第一導(dǎo)電類(lèi)型的MOS晶體管時(shí),其柵電極由第二導(dǎo)電類(lèi)型的多晶硅形成。如在日本專(zhuān)利公開(kāi)No. 2006-120679的段落“0062”中公開(kāi)的...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。