技術(shù)編號：6986694
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本文公開的主題涉及光生伏打裝置。一些已知光生伏打裝置包括具有硅的薄膜的活性部分的薄膜太陽能模塊。入射在模塊上的光進(jìn)入活性硅膜。如果光由硅膜吸收，則光能夠在硅中產(chǎn)生電子和空穴。電子和空穴用于產(chǎn)生可從模塊汲取并且施加到外部電負(fù)載的電勢和/或電流。背景技術(shù)光中的光子激勵(lì)硅膜中的電子并且使得電子與硅膜中的原子分離。為了使得光子激勵(lì)電子并且使得電子與膜中的原子分離，光子必須具有超過硅膜中的能帶隙的能量。光子的能量與入射在膜上的光的波長有關(guān)。因此，基于膜的能帶隙和光的...
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