技術(shù)編號(hào)：6986693
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本文公開的主題涉及光生伏打裝置。一些已知光生伏打裝置包括具有硅的薄膜的活性部分的薄膜太陽(yáng)能模塊。入射在模塊上的光進(jìn)入活性硅膜。如果光由硅膜吸收，則光能夠在硅中產(chǎn)生電子和空穴。電子和空穴用于產(chǎn)生可從模塊汲取并且施加到外部電負(fù)載的電勢(shì)和/或電流。背景技術(shù)光中的光子激勵(lì)硅膜中的電子并且使得電子與硅膜中的原子分離。為了使得光子激勵(lì)電子并且使得電子與膜中的原子分離，光子必須具有超過(guò)硅膜中的能帶隙的能量。光子的能量與入射在膜上的光的波長(zhǎng)有關(guān)。因此，基于膜的能帶隙和光的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。