技術(shù)編號：6985307
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于測量和評價集成電路制造過程的有關(guān)處理與設(shè)計的統(tǒng)計變化的方法，以便判定這些變化的來源及其對產(chǎn)品的產(chǎn)量和性能的影響。背景技術(shù) 在銅(Cu)大馬士革半導(dǎo)體制造過程中，凹陷(dishing)和侵蝕(erosion)效應(yīng)深為人知(見圖1、2A和2B)。圖1示出了在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)之前的具有銅12和氧化物11層的結(jié)構(gòu)110。圖2A示出了具有Cu凹陷情況120的結(jié)構(gòu)，其中氧化物層121和Cu層122與氧化物層121上端的原始高度125相比，分別降低了...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。