技術(shù)編號：6984548
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，尤其涉及用于安裝半導(dǎo)體器件到呈倒裝結(jié)構(gòu)的底座上的裝置。背景技術(shù) 基于GaN的發(fā)光二極管(LED)一般包括絕緣的或半導(dǎo)體的襯底例如SiC或藍寶石，在其上淀積多個基于GaN的外延層。外延層包括具有p-n結(jié)的有源區(qū)，其在被激勵時發(fā)光。一般的LED被安裝在一個底座上，使其襯底側(cè)朝下，底座也稱為封裝或引線框架(下文稱為“底座”)。圖1示意地表示常規(guī)的LED，其具有n-型SiC襯底10，包括生成在襯底上的并被形成為平臺的基于GaN的n型層14...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。