技術(shù)編號：6984269
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法的領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種具有量子阱和與量子阱隔開的量子點層的半導(dǎo)體器件及其制造方法。背景技術(shù) 1977年已有量子阱(QW)激光器的介紹，該激光器的有源區(qū)利用一或多層薄的量子阱層(Lz小于400)夾在較厚的波導(dǎo)區(qū)之間，該波段區(qū)進一步由更高間隙的p型和n型限制層包圍(參見E.A.Rezek，N.Holonyak，Jr.，B.A.Vojak，G.E.Stillman，J.A.Rossi，D.L.Keune，和J.D.Fa...
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